1.一种功率芯片封装方法，其特征在于，包括：在第一金属垫片上设置第一烧结层；在所述第一烧结层上设置功率芯片；在第二金属垫片上设置第二烧结层；将设置有所述第二烧结层的所述第二金属垫片设置在所述功率芯片上，并使所述第二烧结层贴近所述功率芯片，以形成待烧结子模组；对所述待烧结子模组进行烧结形成连接子模组，并在烧结过程中通过压力和厚度可控的辅助工装调节所述连接子模组的厚度；将所述连接子模组放置在塑封模具内；将塑封材料升温化为液态；加压使液态塑封材料注入所述塑封模具；将所述态塑封材料在所述塑封模具中固化，形成塑封外壳后退掉所述塑封模具，得到塑封好的功率芯片子模组。
2.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，还包括：将栅极探针装配入所述塑封外壳中预留的孔洞处内。
3.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，还包括：将至少一个所述功率芯片子模组放置在第一盖板的凸台上；在至少一个所述功率芯片子模组上盖上第二盖板进行压力密封。
4.根据权利要求3所述的功率芯片封装方法，其特征在于，在所述在至少一个所述功率芯片子模组上盖上第二盖板进行压力密封之前，还包括：将所述第一盖板和所述第二盖板的直接相对的部分进行绝缘处理。
5.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述加压使液态塑封材料注入所述塑封模具包括：采用注塑机以及压力和厚度可控的辅助工装进行塑封。
6.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述第一烧结层和/或所述第二烧结层的厚度在1纳米至20微米范围内。
7.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述第一烧结层和/或第二烧结层为：纳米银、锡银铜以及锡铅中的至少一种构成的焊膏、焊片或者薄膜。
8.根据权利要求1所述的功率芯片封装方法，其特征在于，所述在第一金属垫片上设置第一烧结层，包括：采用物理气相沉积或丝网印刷的方法将所述第一烧结层沉积在第一金属垫片上；和/或所述在第二金属垫片上设置第二烧结层包括：采用物理气相沉积或丝网印刷的方法将所述第二烧结层沉积在第二金属垫片上。
9.一种功率芯片封装结构，其特征在于，包括：第一盖板，所述第一盖板上设置有凸台；功率芯片子模组，包括塑封外壳和设置在所述塑封外壳内的连接子模组，所述连接子模组是根据权利要求1至8任一项所述的连接子模组，所述功率芯片子模组设置在所述第一盖板的凸台上；第二盖板，所述第二盖板设置在所述功率芯片子模组上。
10.根据权利要求9所述的功率芯片封装结构，其特征在于，所述塑封外壳经由注入塑封模具的液态塑封材料固化后得到，所述塑封材料为耐温在200℃以上的热塑性聚合物材料。
11.根据权利要求9所述的功率芯片封装结构，其特征在于，所述第一盖板和所述第二盖板的材质为高导电材料，其表面均镀有抗氧化膜。
