陈剑
西南技术物理研究所
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陈剑来自西南技术物理研究所，专利28件。擅长半导体制造、非透镜光学、激光雷达。最擅长半导体制造，一种待划切芯片定位贴装工件盘是存续时间最长的专利。与宋海智合作16次。
历年科研重点
光调制器件 测光 探测部件 H01L31 H01L51 半导体制造 特征晶体 图纹光刻技术 激光雷达 纳米加工 光学材料涂层 非透镜光学 器件制造处理 光电检测 无机半导体器件
技术领域排名
专利列表
- 在审
谱宽可调近红外雪崩光电探测器及其制备方法
申请日: 20251115 公开日: 20260130 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
申请日: 20250818 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
- 有效
一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法
申请日: 20221229 公开日: 20251107 申请人: 西南技术物理研究所
- 有效
一种扁平式象限激光探测器组件及其制备方法
申请日: 20210609 公开日: 20250916 申请人: 西南技术物理研究所
- 有效
一种用于楔形引线键合的快捷夹具
申请日: 20231207 公开日: 20250422 申请人: 西南技术物理研究所
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产研合作关联
与 宋海智 的合作详情
共 16 项合作记录谱宽可调近红外雪崩光电探测器及其制备方法
20251115CN202511675232.1
一种双波段Ge/Si APD光电探测器
20231208CN202311675041.6
一种小型化光生光谱传感器
20231208CN202311675182.8
一种表面等离激元增强二维材料光电探测器及其制备方法
20231201CN202311632537.5
一种钇钡铜氧光子晶体滤波器及其制备方法
20231201CN202311632786.4
一种集成转接板的高像素密度APD阵列芯片的制备方法
20231201CN202311641103.1
一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法
20221229CN202211707633.7
铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法
20221227CN202211691594.6
一种与SOI波导集成的阵列平衡探测器
20221222CN202211666997.5
一种钇钡铜氧光子晶体及其制备方法
20221214CN202211609261.4
基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器
20211222CN202111580324.3
一种扁平式象限激光探测器组件及其制备方法
20210609CN202110641611.4
一种扁平式象限激光探测器组件
20210609CN202121283853.2
一种基于Sagnac光纤环路产生三光子偏振纠缠GHZ态的系统
20191218CN201911311292.X
一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构
20181227CN201811607997.1
一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构
20181227CN201822210868.0
