齐瑞峰
四川大学
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齐瑞峰来自四川大学，专利12件。擅长钼化合物、半导体制造、化学成分、特征晶体。最擅长钼化合物。排名在TOP13。一种制备超级电容器的材料及其制备方法是存续时间最长的专利。与黄青松合作8次。
历年科研重点
半导体制造 H01L31 集成辐射检测 无机半导体器件 多器件组件 钼化合物 无机物处理 化学成分 电极制造 硒碲化合物 无机电解
技术领域排名
专利列表
- 在审
一种MoSSe纳米片阵列及其制备方法
申请日: 20251219 公开日: 20260210 申请人: 四川大学
- 在审
一种二硫化钼纳米片复合碳纤维薄膜的制备方法
申请日: 20240507 公开日: 20251107 申请人: 四川大学
- 有效
无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法
申请日: 20211228 公开日: 20251017 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种具有丰富边缘结构的二硫化钼纳米阵列的制备方法
申请日: 20250528 公开日: 20250815 申请人: 四川大学
- 有效
一种二硫化钼纳米片的制备方法
申请日: 20220121 公开日: 20221227 申请人: 四川大学
显示 1-5 条，共 12 条
产研合作关联
与 黄青松 的合作详情
共 8 项合作记录一种MoSSe纳米片阵列及其制备方法
20251219CN202511935537.1
一种具有丰富边缘结构的二硫化钼纳米阵列的制备方法
20250528CN202510700289.6
一种二硫化钼纳米片复合碳纤维薄膜的制备方法
20240507CN202410555379.6
一种二硫化钼纳米片的制备方法
20220121CN202210073853.2
一种大规模晶体硅颗粒的制备方法
20180914CN201811070839.7
一种层状二维材料MXene的制备方法及其应用
20170807CN201710667543.2
一种制备超级电容器的材料及其制备方法
20170316CN201710156409.6
一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
20170110CN201710014734.9
