一种MoSSe纳米片阵列及其制备方法

本发明提供了一种MoS<Sub>2(1‑x)</Sub>Se<Sub>2x</Sub>纳米片阵列的方法及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：将原料和衬底放置在密闭环境中，所述衬底位于所述原料的上方；其中所述原料为硫单质、硒单质、三氧化钼；在所述密闭环境中施加磁场，使所述原料置于所述磁场中；反应持续预定时间后，停止加载磁场；降温后则可得到原位生长的所述MoS<Sub>2(1‑x)</Sub>Se<Sub>2x</Sub>纳米片阵列，所述MoS<Sub>2(1‑x)</Sub>Se<Sub>2x</Sub>纳米片阵列位于所述衬底表面。与现有技术相比，本发明所使用的设备更为简单，反应时间显著缩短，制备效率高。