邓惠勇
国科大杭州高等研究院
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邓惠勇来自国科大杭州高等研究院，专利47件。擅长液相外延、特征晶体、光电检测、器件制造处理。最擅长液相外延，一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法是存续时间最长的专利。与戴宁合作47次。
历年科研重点
扁平制品 合成树脂层 组合成型 特殊表面层 选择性辐射制冷 真空镀覆 特殊涂布 表面涂布效果 H01L31 辐射测温 H01L27 钼化合物 H01L45 无势垒固态 有机辐射敏感器件 半导体制造 纳米加工 纳米材料 双电层电容 光电检测 无机半导体器件 器件制造处理 压电电致磁致集成 热电器件
技术领域排名
专利列表
- 在审
一种氢间隙掺杂钛酸锶材料及制备方法
申请日: 20250903 公开日: 20260116 申请人: 国科大杭州高等研究院
- 有效
一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法
申请日: 20250825 公开日: 20251121 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 有效
一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法
申请日: 20220328 公开日: 20250905 申请人: 国科大杭州高等研究院
- 有效
一种周期性铁电极化诱导的WSe类超晶格及其制备方法
申请日: 20230209 公开日: 20250725 申请人: 之江实验室
- 在审
一种可控极性光响应的MoS/MLG/MoTe异质结光电探测器及其制备方法
申请日: 20250314 公开日: 20250610 申请人: 国科大杭州高等研究院
显示 1-5 条，共 47 条
产研合作关联
与 戴宁 的合作详情
共 47 项合作记录一种氢间隙掺杂钛酸锶材料及制备方法
20250903CN202511248060.X
一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法
20250825CN202511190032.7
一种可控极性光响应的MoS/MLG/MoTe异质结光电探测器及其制备方法
20250314CN202510305645.4
一种固态氢还原钛酸锶光热电探测器及制备方法
20250107CN202510025032.5
一种电隔离型硅基阻挡杂质带红外探测器及制备方法
20241203CN202411758465.3
一种应力调控二碲化钼多波段探测器及制备方法
20241203CN202411758463.4
一种半环绕MoS同质结非本征红外光电探测器的制备方法
20240611CN202410744759.4
忆阻器、制备方法和电子设备
20231228CN202311838523.9
电学信号振荡器及其应用
20231219CN202311752620.6
一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法
20230410CN202310395496.6
红外传感像元、非制冷红外探测器及其制作方法
20230324CN202310326136.0
一种周期性铁电极化诱导的WSe类超晶格及其制备方法
20230209CN202310120928.2
周期性铁电极化诱导的WSe类超晶格光电探测器及其制备方法
20230129CN202310099269.9
阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统
20230113CN202310064073.6
平面式集成能量挖掘和能量储存的柔性器件和应用
20230106CN202310016492.2
一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法
20220328CN202210311731.2
一种双载流子MoS二维材料的制备方法
20220328CN202210311623.5
一种基于异质结二维电子气的新型光电位置敏感探测器及其制备方法
20220125CN202210086892.6
一种多结型锗基长波红外探测器及制备方法
20210813CN202110930626.2
一种MoS和GaAs异质结红外探测器及制备方法
20210813CN202110930615.4
一种Ge长波红外太赫兹探测器阵列和制备方法
20210813CN202110930315.6
一种双面环形Ge基长波红外和太赫兹探测器和制备方法
20200701CN202010623567.X
一种低成本可大面积应用的辐射制冷薄膜及制备方法
20200509CN202010384286.3
一种低成本大面积无能耗辐射制冷复合薄膜及制备方法
20190329CN201910246102.4
一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法
20180130CN201810090440.9
一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
20160113CN201610020680.2
一种制备InAsSb量子点的方法
20140328CN201410121105.2
一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法
20140328CN201410121076.X
一种制备InAsSb薄膜的液相外延装置和方法
20130621CN201310251772.8
一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置
20130426CN201320218528.7
一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置和方法
20130426CN201310150752.1
一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法
20130426CN201310148741.X
一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法
20130131CN201310039596.1
一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法
20130131CN201310043657.1
一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟
20130131CN201320057163.4
一种PN结阵列受光的太阳电池
20120803CN201220384458.8
一种pn结阵列受光结构的太阳电池
20120803CN201210273976.7
一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法
20120625CN201210211640.8
一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法
20120625CN201210211438.5
一种全自动控制的液相外延设备及控制方法
20120509CN201210142791.2
一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟
20111110CN201110355330.9
一种制备InAsSb量子点的方法
20111110CN201110354641.3
一种砷化铟红外光伏电池
20100402CN201020149733.9
一种InAs红外光伏电池及液相外延的制备方法
20100402CN201010139049.7
一种防止母液大面积残留的液相外延石墨舟
20090317CN200910047695.8
一种防止母液粘舟的液相外延石墨舟
20071031CN200710047621.5
一种用于半导体材料液相外延生长的隧穿式石墨舟
20070725CN200710044176.7
