忆阻器、制备方法和电子设备

本公开是关于一种忆阻器、制备方法和电子设备；其包括：底电极、设置于底电极的一个表面上的忆阻功能层、以及设置于忆阻功能层远离底电极的表面上的顶电极；忆阻功能层包含非晶MoS<Sub>2</Sub>材料；本公开所提供的忆阻器的开关电压高度一致，开关稳定性也得到显著提高，克服了忆阻器的稳定性差的问题，并且还具有可调节的V<Sub>SET</Sub>值，使得忆阻器的功耗和工作窗口灵活可调。