1.一种锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：包括锗基底(1)；设置在所述锗基底(1)表面的电极注入区(2)、多个阻挡区(3)、多个第一单色吸收区(4)和多个第二单色吸收区(5)；设置在所述电极注入区(2)上的公共电极(6)、多个第一吸收区电极(8)和多个第二吸收区电极(9)；设置在多个所述阻挡区(3)、多个所述第一单色吸收区(4)和多个所述第二单色吸收区(5)上的钝化层(7)；多个所述第一单色吸收区(4)和多个所述阻挡区(3)位于所述公共电极(6)与多个所述第一吸收区电极(8)之间，并呈周期性分布；多个所述第二单色吸收区(5)和多个所述阻挡区(3)位于所述公共电极(6)与多个所述第二吸收区电极(9)之间，并呈周期性分布；所述第一单色吸收区(4)和所述第二单色吸收区(5)均为简并掺杂的锗材料，所述第一单色吸收区(4)与所述第二单色吸收区(5)的掺杂杂质种类不同。
2.根据权利要求1所述的锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：所述电极注入区(2)、所述阻挡区(3)、所述第一单色吸收区(4)和所述第二单色吸收区(5)均位于所述锗基底(1)的近表面内，且位于所述锗基底(1)表面的深度为0.1μm-3μm。
3.根据权利要求1所述的锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：所述第一单色吸收区(4)、所述第二单色吸收区(5)、所述阻挡区(3)数量的比值为1:1:2。
4.根据权利要求1所述的锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：所述第一单色吸收区(4)的数量+所述第二单色吸收区(5)的数量=所述阻挡区(3)数量；（第一单色吸收区(4)的数量×第一单色吸收区(4)的宽度）+（第二单色吸收区(5)的数量×第二单色吸收区(5)的宽度）的结果为定值。
5.根据权利要求1所述的锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：所述锗基底(1)为高阻型锗基底，杂质浓度范围为1×10 12 至1×10 14 cm -3 。
6.根据权利要求1所述的锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：所述第一单色吸收区(4)的掺杂元素为硼、镓、铍、磷或硫中的一种或多种，杂质浓度范围为1×10 16 至1×10 17 cm -3 ，掺杂深度范围为0.1μm至3μm，宽度范围为5μm至50μm，所述第二单色吸收区(5)的掺杂元素为硼、镓、铍、磷或硫中的一种或多种，杂质浓度范围为1×10 16 至1×10 17 cm -3 ，掺杂深度范围为0.1μm至3μm，宽度范围为5μm至50μm。
7.根据权利要求1所述的锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：所述电极注入区(2)为掺有硼、镓、铍或磷中的一种或多种杂质的简并掺杂锗材料，所述杂质的浓度为1×10 18 至1×10 19 cm -3 ，掺杂深度为0.1μm至3μm，宽度为5μm至50μm。
8.一种锗基多结型双色长波红外探测器的制备方法，其特征在于：用于制备权利要求1-7任一所述的锗基多结型双色长波红外探测器，包括如下步骤：在所述锗基底(1)表面形成多个所述第一单色吸收区(4)的图案，然后利用离子注入工艺向其注入杂质形成多个所述第一单色吸收区(4)；在所述锗基底(1)表面形成多个所述第二单色吸收区(5)的图案，然后利用离子注入工艺向其注入杂质形成多个所述第二单色吸收区(5)；在所述锗基底(1)表面形成所述电极注入区(2)的图案，然后利用离子注入工艺向其注入杂质形成所述电极注入区(2)；利用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述锗基底(1)表面沉积所述钝化层(7)，然后进行热处理激活所注入的杂质；利用湿法腐蚀工艺在所述钝化层(7)上制作电极孔，然后利用金属沉积工艺形成所述公共电极(6)、多个所述第一吸收区电极(8)和多个所述第二吸收区电极(9)。
9. 根据权利要求8所述的锗基多结型双色长波红外探测器的制备方法，其特征在于：所述锗基底的掺杂浓度为1×10 12 cm -3 ；所述第一单色吸收区的数量为2 个，宽度为50μm，相邻第一单色吸收区之间的间距为10μm；向所述第一单色吸收区注入镓，掺杂深度3μm，掺杂浓度1×10 17 cm -3 ；所述第二单色吸收区的数量为2 个，宽度为50μm，相邻第二单色吸收区之间的间距为10μm；向所述第二单色吸收区注入镓，掺杂深度3μm，掺杂浓度1×10cm -3 ；所述电极注入区的宽度为50μm，向其中掺杂硼，掺杂深度3μm，掺杂浓度1×10 19 cm -3 。
10. 根据权利要求8所述的锗基多结型双色长波红外探测器的制备方法，其特征在于：所述锗基底的掺杂浓度为1×10 13 cm -3 ；所述第一单色吸收区的数量为4 个，宽度为20μm，相邻第一单色吸收区之间的间距为5μm；向所述第一单色吸收区注入镓，掺杂深度0.5μm，掺杂浓度5×10 16 cm -3 ；所述第二单色吸收区的数量为4 个，宽度为20μm，相邻第二单色吸收区之间的间距为5μm；向所述第二单色吸收区注入硼，掺杂深度1μm，掺杂浓度5×10 16 cm -3 ；所述电极注入区的宽度为25μm，向其中掺杂硼，掺杂深度1μm，掺杂浓度3×10 18 cm -3 。
11. 根据权利要求8所述的锗基多结型双色长波红外探测器的制备方法，其特征在于：所述锗基底的掺杂浓度为1×10 14 cm -3 ；所述第一单色吸收区的数量为5 个，宽度为5μm，相邻第一单色吸收区之间的间距为3μm；向所述第一单色吸收区注入硼，掺杂深度0.1μm，掺杂浓度1×10 16 cm -3 ；所述第二单色吸收区的数量为5 个，宽度为5μm，相邻第二单色吸收区之间的间距为3μm；向所述第二单色吸收区注入镓，掺杂深度0.1μm，掺杂浓度1×10 16 cm -3 ；所述电极注入区的宽度为5μm，向其中掺杂硼，掺杂深度0.1μm，掺杂浓度1×10 18 cm -3 。
