平面型分裂栅VDMOSFET及其制造方法

本发明涉及一种平面型分裂栅VDMOSFET及其制造方法，所述平面型分裂栅VDMOSFET包括：漏极区；漂移区位于漏极区上；漏电极，位于漏极区背离漂移区的一面；JFET区，位于漂移区上；体区位于漂移区上、JFET区的两侧；源极区，位于体区上、JFET区的两侧；接触区，具有第二导电类型，位于体区的外侧，且接触区的底部比体区的底部更深；分裂栅电极，被从中间分隔开，分隔区域位于JFET区的正上方；源电极，位于源极区和接触区上，与源极区和接触区直接接触。本发明降低了栅漏电容，降低了器件的开关功耗，提高了器件在高频的性能。在不影响比导通电阻的前提下，提高了器件的击穿电压，提高了器件的长期可靠性。