刘照宽

刘照宽来自东南大学，专利3件。擅长场效应晶体管、计算机辅助设计、电极、半导体势垒、模式识别。最擅长场效应晶体管。排名在TOP100。一种用于SiC MOSFET的电学性能退化预测方法是存续时间最长的专利。与无锡华润上华科技有限公司合作1次，与刘斯扬合作2次。