潘艳
华北电力大学
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潘艳，国网智能电网研究院副总工、电力电子所书记兼副所长，主要研究方向为智能电网用电力电子器件，特别是IGBT芯片及其相关技术。在推动IGBT芯片国产化进程、技术创新与专利申请等方面取得了显著成果。
历年科研重点
半导体制造 H01L29 半导体器件细节 特殊扫描探针显微 直流配电 辐射测试 交流配电 计算机辅助设计 信息通信行业流程 电性能及故障测 行政管理 生物模型计算 特定数据处理 申请详情 交直转换
技术领域排名
专利列表
- 在审
一种海上风光储经柔直送出系统多时间尺度小信号频域阻抗模型建模方法
申请日: 20250801 公开日: 20251209 申请人: 国网山东省电力公司经济技术研究院
- 在审
一种新能源并网系统的稳定运行区间主动生成方法
申请日: 20250801 公开日: 20251209 申请人: 国网山东省电力公司经济技术研究院
- 在审
一种基于数据和仿真的海上风光储阻抗模型自动生成方法
申请日: 20250801 公开日: 20251128 申请人: 国网山东省电力公司经济技术研究院
- 有效
新能源场站的振荡判定方法、装置、电子设备及存储介质
申请日: 20220808 公开日: 20251111 申请人: 清华大学
- 有效
汽轮机组低频振荡仿真模型建立方法及装置
申请日: 20221108 公开日: 20251111 申请人: 华北电力科学研究院有限责任公司
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产研合作关联
与 国家电网有限公司 的合作详情
共 67 项合作记录一种多联组塔结构的模块化多电平电压源换流器
20140218CN201410055095.7
一种电力系统安稳控制策略整定方法
20140815CN201410401766.0
一种多联组塔结构的模块化多电平电压源换流器
20140218CN201420071322.0
一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法
20151231CN201511032546.6
一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件
20151231CN201521141019.4
一种碳化硅外延生长系统及其生长方法
20160425CN201610262594.2
一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法
20160425CN201610262790.X
一种快速恢复二极管及其制造方法
20160615CN201610424393.8
一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法
20160720CN201610574275.5
一种平面终端钝化方法及半导体功率器件
20160822CN201610701963.3
一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件
20160823CN201610704091.6
一种可重构直流电网模拟试验系统
20160826CN201610742103.4
一种快恢复二极管及其制备方法
20160922CN201610842716.5
一种终端钝化方法及半导体功率器件
20160922CN201610843019.1
一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法
20161013CN201610893731.2
一种大功率IGBT动态测试电路及其控制方法
20161013CN201610893753.9
一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法
20161102CN201610943892.8
一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法
20161122CN201611026227.9
一种用于IGBT浪涌电流的检测电路及其检测方法
20161125CN201611060556.5
一种沟槽型IGBT及其制备方法
20161201CN201611086000.3
一种逆导型IGBT背面结构
20160425CN201620356265.X
一种碳化硅外延生长系统
20160425CN201620356478.2
一种快速恢复二极管
20160615CN201620582038.9
一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极
20160720CN201620769675.7
高压半导体功率器件
20160823CN201620919433.1
一种快恢复二极管
20160922CN201621073091.2
一种终端结构、半导体器件及其制备方法
20170116CN201710029590.4
一种高压功率器件的动态特性测试电路及测试方法
20170116CN201710029617.X
一种半导体功率器件及其终端结构
20170703CN201710530888.3
一种高压功率器件的终端结构的制作方法
20170707CN201710552953.2
在基板上形成绝缘沟槽的方法及半导体器件
20170808CN201710674475.2
一种逆阻型IGBT的制造方法及逆阻型IGBT
20180510CN201810444236.2
一种半导体器件及其制作方法
20180702CN201810706963.1
一种液压安装结构及其组成的测试模块
20180723CN201810813097.6
快恢复二极管及其制备方法
20180828CN201810990583.5
一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置
20190116CN201910040864.9
功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构
20190530CN201910467609.2
功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构
20190530CN201910467610.5
功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片
20190617CN201910521437.2
一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法
20190621CN201910540297.3
一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置
20190916CN201910870940.9
一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法
20190924CN201910908017.X
一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件
20190930CN201910937911.X
一种沟槽栅型IGBT结构
20191010CN201910959594.1
一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法
20191223CN201911333532.6
一种半导体晶圆的检测设备
20200422CN202010322087.X
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一种碳化硅衬底的处理方法
20200427CN202010345960.7
BPA机电暂态模型至ADPSS电磁暂态模型的转换方法和装置
20220727CN202210891934.3
调相机评估方法及装置
20220727CN202210892628.1
基于分环节小信号阶跃的双馈风机变流器参数测试系统
20221102CN202211361434.5
汽轮机组低频振荡仿真模型建立方法及装置
20221108CN202211395862.X
基于热电解耦的旁路调频控制方法及装置
20221109CN202211399392.4
电磁暂态模型的转换数据处理等值调节方法和装置
20230530CN202310627934.7
计及负荷电压特性的电力系统频率响应聚合模型参数修正方法、系统与介质
20231229CN202311861513.7
电网系统频率安全域分析方法、系统与计算机可读介质
20231229CN202311866706.1
一种长链式系统功角稳定分析方法及装置
20240620CN202410801031.0
一种新能源汇集区域短路容量需求量化分析方法及装置
20241031CN202411536895.0
合成全工况试验装置辅助阀触发与检测方法
20130225CN200610064923.9
合成全工况试验装置辅助阀触发与检测编码
20130225CN200610064923.9
一种高压串联晶闸管阀不闭锁过电流试验方法
20130205CN200710177732.8
一种基于模块化多电平电压源换流器的模块单元
20130509CN201110007037.3
一种基于全控器件的电压源换流器的元件连接结构
20130425CN201110057323.0
一种换流器模块单元的扩展结构
20130425CN201110061845.8
一种高位取能电压变换电路
20130425CN201110066786.3
一种模块化多电平电压源换流器阀塔的冷却系统
20140321CN201120146117.2
一种多联组塔结构的模块化多电平电压源换流器
20170524CN201410055095.7
一种多联组塔结构的模块化多电平电压源换流器
20170601CN201420071322.0
一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法
20170714CN201610893731.2
一种大功率IGBT动态测试电路及其控制方法
20171009CN201610893753.9
IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法
20200819CN201811379016.2
退火组件及退火方法
20200723CN201911145344.0
