一种电可擦除编程非挥发性存储器及操作方法

本发明属于半导体器件领域，具体公开了一种电可擦除编程非挥发性存储器及操作方法；所述一种电可擦除编程非挥发性存储器，包括控制管Mc0和Mc1，隧穿管Mt0和Mt1，读取管Mr0和Mr1，选择管Ms0和Ms1，还包括一个高压管Mhv；本发明还提供了一种电可擦除编程非挥发性存储器操作方法，采用所述电可擦除编程非挥发性存储器，在各控制端口分别施加不同电压，最终完成存储器的读写操作。本发明结构能够消除深耗尽，同时阻止空穴排出，减小耗尽层宽度，增加氧化层电场，提高了非挥发性存储器的擦除效率，减少擦除时间。