聚酰亚胺钝化膜钝化制备工艺

本发明提出的一种聚酰亚胺钝化膜制备工艺，旨在提供一种工艺可靠，返工几率低，合格率高，易于实现的硅基光电探测器芯片表面钝化膜的制备工艺方法。本发明通过下述技术方案予以实现：在曝光和显影工序步骤之间增加显影前检查、补正胶步骤，及时对曝光后的光刻胶进行检查，对钝化区域内正胶破损的芯片，用正胶覆盖针孔和破损处，然后放入85℃的烘箱烘10min后进入下步工艺。本发明在显影前增加了一步“镜检、补正胶”工艺，虽然光刻工艺的操作步骤增多了，但是工艺质量得到很好的控制，有效消除了产生的工艺针孔，使PI-5钝化膜制作工艺一次性合格率大幅提高，减少了返工的数量，降低了成本。