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揭榜挂帅
Ga203长晶
1.Ga₂O₃作为第四代半导体,在耐高压、光学、抗辐射方面比SiC/GaN有更出色的性能,在第四代半导体材料中它具有易加工、高品质、低成本的优点。应用端和SiC高度重叠(电动车和能源),并且耐压高于SiC,由于在更耐高压、缺陷密度低、长晶速度快、后道加工难度低、加工成本低等方面都有明显优于SiC的性能。 2.公司是半导体Si材料龙头企业,深耕于半导体材料。为了公司未来的发展,计划启动下一代半导体材料的研发工作,长晶开始起步。双晶摇摆半高宽:≤250”;载流子浓度:≥1×10¹⁸ cm⁻³;位错密度≤1×10⁵ cm⁻²;晶向<100>;4/6寸;掺Fe;电阻>1×10¹⁰欧·cm 。
金额 200
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
化药创新药研发
围绕精神神经、代谢性等疾病,开发化药创新药。引进已完成临床前研究或即将完成临床前研究的项目,以期尽快实现成果转化。引进项目开展临床研究或产业化。
医药健康
金额 100
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
发酵法生产麦角硫因的技术
寻求利用微生物发酵工艺生产麦角硫因的工艺。 技术要求: 1、所使用的菌种在国家食品菌种目录所列菌种范围内,可采用基因工程技术; 2、麦角硫因发酵水平≥6g/L; 3、能够 解决下游纯化工艺,纯度>90%。
基因工程
金额 50
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
基于Metalens手机类的技术开发
技术需求:基于Metalens技术的特性来阐述其可能的技术开发指标。 一、光学性能参数聚焦效率:在特定波长下的聚焦效率可达到90%以上。这一数值反映了光线通过Metalens后能够有效聚焦的比例。 焦斑尺寸:对于超分辨率成像应用,Metalens的焦斑尺寸达到几纳米甚至更小。这一数值直接决定了成像的分辨率。 工作波长范围:Metalens的设计可能针对特定的光谱范围,如可见光波段(400-700nm)、近红外波段等。具体的工作波长范围取决于应用需求和材料选择。 二、结构与设计参数纳米结构尺寸:Metalens的纳米结构尺寸通常在几十到几百纳米之间,具体数值取决于设计目标和制造工艺。 材料折射率:不同材料具有不同的折射率,这是影响Metalens光学性能的关键因素之一。具体数值需参考材料科学领域的权威数据库或手册。 三、应用性能参数成像分辨率:在超分辨率成像应用中,Metalens的成像分辨率达到亚波长尺度。
光电子
金额 50
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
样品急性毒性及类过敏反应评价系列2
聚山梨酯系列产品组成复杂,在放置过程中,不可避免地发生降解,功能性减弱,另一方面降解的产物也可能影响生物制剂的稳定性。此外,降解物质可能诱导机体发生过敏反应。聚山梨酯系列2样品急性毒性研究,并提供研究报告。
医药健康
金额 8.64
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
抛丸机电气系统远程故障诊断系统的开发
(1)研究抛丸机的整机结构,结合当前的国内外抛丸机诊断技术及发展趋势的研究,研发适用于抛丸机电气系统的远程故障诊。
集成电路
新一代信息技术
金额 80
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
双6尼龙产品开发
市场背景: 包括英威达、杜邦、首诺、奥升德等,产能前五的公司占总产能比重高达80%以上,其中英威达尼龙66聚合物产能约占全球的40%,行业呈寡头垄断格局。我国尼龙66行业发展受原材料供给长期不足压制,国内尼龙66生产商中仅有神马股份、华峰集团在全球产能中占有一席之地,行业供给长期受制于人。 受原材料供给不足及技术遏制,2017-2021年,我国尼龙66行业发展较为缓慢。2021年,我国尼龙66产能约56万吨,与上年持平,几乎无新增产能;尼龙66产量为39万吨,同比增长0.78%。2022年上半年,尼龙66生产所需主要原材料己二晴实现技术突破,打破国外垄断格局,成功量产己二晴优级产品,打通了尼龙66产业链,尼龙66厂商加快产能建设,行业规模持续扩大。2022年,我国尼龙产能和产量将分别增长3.57%和5.13%。未来,随着己二晴国产化加速,行业原材料供给宽松,行业规模有望进一步扩大。 技术要求:。
金额 200
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
高导热环氧塑封干膜
先进封装之晶圆级和板级封装用柔性环氧塑封膜,目前尚为日本头部企业垄断,其技术发展趋势随着大算力芯片的需求朝向高导热发展,实现高导热塑封膜的开发将会为这一卡脖子原料的弯道超车实现可能。对标竞品:松下CV2079B3W产品。 薄板厚度 50-200μm填料尺寸(最大) 35μm玻璃转换温度 210℃CTE a1 / a2 13/35ppm/℃介电系数 7.2 介质切 0.006 弯曲模量 26GPa抗弯强度 200MPa热导率 3.2W/mK 对标竞品:松下CV2079B 5w产品。 薄板厚度 100-200μm填料尺寸(最大) 55μm玻璃转换温度 190℃CTE a1 / a2 12/30ppm/℃介电系数 8.3 介质切 0.006 弯曲模量 33GPa抗弯强度 200MPa热导率 5W/mK。
集成电路
金额 30
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
高端高频超低轮廓铜箔HVLP先进工艺技术研究
应用于对信号完整性有更高要求的超低损耗等级的高频高速电路用覆铜板、对应的多层板、射频-微波基板以及高速数字信号基板,特别是5G高端应用和未来的6G应用。日本三井金属、古河电工、日进、福田金属等公司已经能够做到Rz<=1.0um达到HVLP3型。目前本公司仅能提供RZ<=2.0HVLP1铜箔和RZ<=1.5HVLP2铜箔。目前HVLP3几乎都为日本企业所垄断。2021年VLP和HVLP销量中日韩分别占比60.8%和26.4%,中国内地仅以100吨销量占比0.5%左右。性能参数:RZ≤0.5,抗拉强度(18um)≥310MPa,延伸率(18um)≥9%,剥离强度(18um)≥0.6kg/cm(碳氢树脂基材),满足低PIM性的高频CCL性能。
前沿新材料
金额 200
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
环氧塑封料的低吸湿性技术
环氧塑封料封装集成电路是一种非气密性封装,该集成电路封装体在使用或测试过程中塑封料有吸湿发生,吸湿后的集成电路封装体中水份在高温回流焊时会瞬间气化,导致集成电路封装体内部内应力瞬间变得巨大,从而造成集成电路的失效。本需求为研发一种高分子材料能与水在室温下少反应或不反应,在120度或以上与水可以迅速反应,反应后无其他副产物出现或者反应后的副产物蒸气压远低于水的蒸气压,在环氧塑封料中加入该材料可明显提升环氧塑封料的可靠性。
集成电路
金额 70
发布时间20241201
2024中国高校科技成果交易会企业技术需求
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