陈庆敏
西南技术物理研究所
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陈庆敏来自西南技术物理研究所，专利15件。擅长半导体制造、无机半导体器件、器件制造处理、光电检测。最擅长半导体制造，无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法是存续时间最长的专利。与刘源合作8次。
历年科研重点
半导体制造 H01L31 多器件组件 集成辐射检测 无机半导体器件 器件制造处理 切割发送装置 印刷电路制造 半导体器件细节 图纹光刻技术 光电检测 光学法测试材料
技术领域排名
专利列表
- 在审
基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构及制备方法
申请日: 20250722 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
- 有效
无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法
申请日: 20211228 公开日: 20251017 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管凸结的一次性扩散制备方法
申请日: 20250523 公开日: 20250826 申请人: 西南技术物理研究所
- 有效
铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法
申请日: 20221227 公开日: 20250708 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种保护电路的低温干法刻蚀方法
申请日: 20241224 公开日: 20250429 申请人: 西南技术物理研究所
显示 1-5 条，共 15 条
产研合作关联
与 代千 的合作详情
共 8 项合作记录基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构及制备方法
20250722CN202511012726.1
平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管凸结的一次性扩散制备方法
20250523CN202510670889.2
铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法
20221227CN202211690411.9
铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法
20221227CN202211691594.6
铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法
20221227CN202211691595.0
无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法
20211228CN202111630709.6
一种磷化铟晶圆传递清洗盒
20211119CN202122889714.0
一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法
20191217CN201911303143.9
