王国胜
西南技术物理研究所
0专利总数
0许可专利
0转让专利
0第一发明人
0合作企业
王国胜来自西南技术物理研究所，专利13件。擅长半导体制造、图纹光刻技术、集成辐射检测、半导体器件细节。最擅长半导体制造。排名在TOP34。与姜浩天合作10次。
历年科研重点
H01L31 测光 光学设备测试 图纹光刻技术 印刷电路制造 半导体制造 炉内气压 简单复合透镜 光掩模 手持夹紧
技术领域排名
专利列表
- 在审
一种高洁净度石英炉管管口防损保护套
申请日: 20251224 公开日: 20260313 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种基于硫掺杂HgTe量子点复合层光电探测器及其制备方法
申请日: 20251030 公开日: 20260210 申请人: 电子科技大学
- 在审
一种碳化硅微透镜阵列及其制备方法
申请日: 20251117 公开日: 20260206 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种提升垂直温度分布均匀性的卧式高温炉挡风板
申请日: 20251117 公开日: 20260203 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种提升晶圆夹持安全性的三柄镊子
申请日: 20251115 公开日: 20260127 申请人: 西南技术物理研究所
显示 1-5 条，共 13 条
产研合作关联
与 姜浩天 的合作详情
共 10 项合作记录一种高洁净度石英炉管管口防损保护套
20251224CN202511964226.8
一种提升垂直温度分布均匀性的卧式高温炉挡风板
20251117CN202511680950.8
一种碳化硅微透镜阵列及其制备方法
20251117CN202511685111.5
一种提升晶圆夹持安全性的三柄镊子
20251115CN202511675160.0
基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构及制备方法
20250722CN202511012726.1
一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法
20250629CN202510883645.2
提升光刻胶去胶效率的晶圆预处理试剂及去胶方法
20250603CN202510728294.8
多孔键合介质制备方法及超平整局部临时晶圆键合方法
20250529CN202510705975.2
一种保护电路的低温干法刻蚀方法
20241224CN202411909652.7
一种解决旋涂光刻胶边缘堆积的刮涂装置
20241031CN202411540724.5
