提升光刻胶去胶效率的晶圆预处理试剂及去胶方法

本发明属于表面处理技术领域，公开了一种提升光刻胶去胶效率的晶圆预处理试剂及去胶方法，通过将氧代丁酸酯基烯丙基烷基硅烷类化合物预先制备于硅基、二氧化硅基或氮化硅基晶圆表面，利用此类化合物受热在晶圆/光刻胶界面处产生CO<Sub>2</Sub>气体的特性，一方面通过产生气体的气压促进光刻胶从晶圆表面剥离；另一方面，CO<Sub>2</Sub>气体释放后在晶圆/光刻胶界面处形成的空腔，能够促使有机溶剂II进入晶圆/光刻胶界面，进一步提升光刻胶的去除效率。本发明中基于所述晶圆预处理试剂的去胶方法具有操作简单、兼容性强的特点，为半导体去胶工艺的残胶问题提供了新的工艺思路和解决方法。