黄荣俊

黄荣俊来自合肥工业大学，专利8件。擅长特征晶体、半导体制造、硒碲化合物、物理场晶体生长。最擅长特征晶体。排名在TOP58。无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及制备方法是存续时间最长的专利。与安徽瑞德磁电科技有限公司合作3次，与吴玉程合作7次。