一种ZnO同质pn结及其制备方法

本发明公开了一种ZnO同质pn结及其制备方法，其中ZnO同质pn结是由p型Sb掺杂ZnO纳米棒阵列与n型Al掺杂ZnO薄膜组成。所述p型Sb掺杂ZnO纳米棒中Sb的掺杂浓度为0.9-8.3at.%，所述n型Al掺杂ZnO薄膜中Al的掺杂浓度为3at.%。本发明采用离子束溅射结合电化学沉积的方法制备ZnO同质pn结，这是首次采用电化学沉积技术制备Sb掺杂ZnO纳米棒并将其作为ZnO同质结的p区，丰富了ZnO同质结的组成结构，简化了ZnO同质结的制备方法，大幅降低了制备成本。