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专利列表
- 在审
一种三层多孔石墨烯及其制备方法
申请日: 20250626 公开日: 20250909 申请人: 中国科学院化学研究所
- 在审
一种制备扭角双层石墨烯的方法
申请日: 20250428 公开日: 20250808 申请人: 中国科学院化学研究所
- 在审
一种共价有机框架材料及其制备方法和应用
申请日: 20240529 公开日: 20240816 申请人: 中国科学院化学研究所
- 在审
苯并呋喃酮二吲哚酮-二噻吩乙烯类聚合物及其绿色制备方法与应用
申请日: 20220923 公开日: 20240402 申请人: 中国科学院化学研究所
- 在审
一类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与应用
申请日: 20231110 公开日: 20240301 申请人: 中国科学院化学研究所
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科研动态
中国科学院化学研究所开发高迁移率聚合物半导体材料
来源: CCS Chem.; Adv. Mater.合作: 张卫锋、车前、潘玉钗、史柯利
中国科学院制备高性能COFs薄膜忆阻器
来源: Small; Nano Today; Angew. Chem. Int. Ed.合作: 李晨宇、李栋、张卫锋
中国科学院发展出在液态金属表面原位生长高质量石墨烯纳米带阵列的方法
来源: Natl. Sci. Rev.; Adv. Mater.; Adv. Sci.; ACS Nano; Chem. Mater.合作: 徐志平、蔡乐
中国科学院在绝缘基底上直接生长高质量均匀单层石墨烯薄膜
来源: J. Am. Chem. Soc.合作: 徐志平、王华平
清华大学制备石墨烯微球探针实现稳定超低摩擦
来源: Nature Communications合作: 马天宝、雒建斌、刘淑娓、王华平
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