在审

一类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与应用

于贵、韦旭扬、车前、张卫锋
中国科学院化学研究所
于贵机构 暂无
技术领域 暂无
韦旭扬机构 暂无
技术领域 暂无
车前机构 暂无
技术领域 暂无
张卫锋机构 暂无
技术领域 暂无

摘要

本发明公开了一类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用。式(Ⅰ)所示。该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物的原料获取简单,合成产率较高,且适合大批量制备;该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物具有优异的热稳定性,强的近红外吸收,与电极匹配的带隙,好的成膜性,可通过溶液加工方法制备有机场效应晶体管器件;以该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物为活性层材料制备的有机场效应晶体管具有较好的空穴传输性能,最高空穴迁移率可达到4.59cm<Sup>2</Sup>V<Sup>‑1</Sup>s<Sup>‑1</Sup>,具有广阔的发展前景。<Image he="447" wi="1000" file="DDA0004542046710000011.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="no"/> 本发明公开了一类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用。式(Ⅰ)所示。该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物的原料获取简单,合成产率较高,且适合大批量制备;该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物具有优异的热稳定性,强的近红外吸收,与电极匹配的带隙,好的成膜性,可通过溶液加工方法制备有机场效应晶体管器件;以该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物为活性层材料制备的有机场效应晶体管具有较好的空穴传输性能,最高空穴迁移率可达到4.59cmVs,具有广阔的发展前景。

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