一种低噪声InP HEMT器件及其制备方法

本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其是涉及一种低噪声InP HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；依次层叠设置在衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；设置在势垒层上的重掺杂帽层；设置在重掺杂帽层上的源漏金属电极；以及栅极结构；栅极结构包括栅槽和设置在栅槽内的栅下层Pt金属和栅上层金属，栅槽贯穿所述重掺杂帽层并延伸至势垒层的内部，其中，栅下层Pt金属与势垒层接触，并向下扩散形成嵌入在势垒层内的Pt埋栅，Pt埋栅的厚度为使InP HEMT器件的栅极反向漏电处于最小值对应的深度区间。本发明的InP HEMT器件具有超低的噪声系数，能够探测和放大极其微弱的信号，从而极大地提升了通信系统的接收灵敏度、深空探测和科学仪器的探测能力。