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功率半导体器件中多物理场耦合效应仿真方法及装置

赵东艳、李谭毅、尹文言、许力铭、王麒超、陈燕宁、张念恩、刘芳、梁英宗、王寅达、朱亚星、谢浩
北京智芯微电子科技有限公司

摘要

本发明涉及半导体器件仿真技术领域,提供一种功率半导体器件中多物理场耦合效应仿真方法及装置。所述方法包括:基于功率半导体器件的几何模型,确定功率半导体器件中多个物理场的热传导和漂移扩散方程组;根据多个物理场之间的耦合关系确定多个物理场之间的耦合强度;对多个物理场的热传导和漂移扩散方程组进行离散处理;采用自适应耦合迭代法对离散处理后的热传导和漂移扩散方程组进行迭代求解,并根据多个物理场之间的耦合强度对自适应耦合迭代法进行动态调整,直至求解得到的解收敛,获得功率半导体器件中多个物理场的空间分布信息。本发明根据不同物理场之间的耦合强度动态调整迭代方法,保证了仿真精度,显著提高了计算效率和收敛性。

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