一种铟镓砷磷盖革雪崩二极管及其制备方法

本发明公开了一种铟镓砷磷盖革雪崩二极管，包括磷化铟衬底(1)和在磷化铟衬底(1)上依次外延的n型铟磷缓冲层(2)、非故意掺杂铟镓砷磷吸收层(3)、梯度掺杂铟镓砷磷过渡层(4)、n型铟磷电荷层(5)、非故意掺杂铟磷倍增层(6)；非故意掺杂铟磷倍增层(6)表面采用选区掺杂技术形成圆形的p型掺杂区(7)、环形的p型保护环区(8)，两者同心；在环形的p型保护环区(8)外制备出同心的环形的隔离槽(9)；制备出正面电极(10)和背面电极(11)，形成平面/台面复合型盖革雪崩二极管。本发明提升器件光子探测效率，提高器件工作温度，消除势垒效应，针对1.06μm波长的单光子信号实现超高灵敏、超快响应的光电探测。