1.一种器件沟道退化监测电路，其特征在于，包括：退化环形振荡器，所述退化环形振荡器包括奇数个串行连接的退化反相器；所述退化反相器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端及第二输出端，第一输入端和第一输出端的工作电压为低压，第二输入端和第二输出端的工作电压为高压；所述退化反相器包括：第一晶体管、第二晶体管及隔离耐压器件，第一晶体管为耐压12V～750V的高压功率晶体管；第一晶体管的漏极通过隔离耐压器件与第二晶体管的漏极相连，第一晶体管的源极接地，第二晶体管的源极连接高压电源端，第一晶体管的栅极连接所述第一输入端，第一晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接所述第一输出端，第二晶体管的栅极连接所述第二输入端，第二晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接所述第二输出端。
2.根据权利要求1所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述隔离耐压器件为电阻器件。
3.根据权利要求1所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述隔离耐压器件为二极管连接型MOS器件。
4.根据权利要求3所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述隔离耐压器件由n个NMOS晶体管以二极管连接的方式连接而成。
5.根据权利要求3所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述隔离耐压器件由n个PMOS晶体管以二极管连接的方式连接而成。
6.根据权利要求3所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述隔离耐压器件由x个PMOS晶体管及y个NMOS晶体管以二极管连接的方式连接而成。
7.根据权利要求1所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述退化反相器还包括二极管，二极管的正极连接第二晶体管的栅极，二极管的负极连接高压电源端。
8.根据权利要求1所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，还包括：非退化环形振荡器；所述非退化环形振荡器包括奇数个串行连接的非退化反相器；所述非退化反相器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端及第二输出端，第一输入端和第一输出端的工作电压为低压，第二输入端和第二输出端的工作电压为高压；所述非退化反相器包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及隔离耐压器件，第三晶体管为高压功率晶体管，第三晶体管的漏极与第五晶体管的源极连接，第五晶体管的漏极通过隔离耐压器件与第四晶体管的漏极相连，第三晶体管的源极接地，第四晶体管的源极连接高压电源端，第三晶体管的栅极连接所述第一输入端，第五晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接所述第一输出端，第四晶体管的栅极连接所述第二输入端，第四晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接所述第二输出端。
9.根据权利要求8所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述隔离耐压器件为电阻器件或二极管连接型MOS器件。
10.根据权利要求1所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，还包括：频率衰减检测电路；所述频率衰减检测电路用于检测退化环形振荡器随着时间的频率衰减量，在退化环形振荡器相对应的周期中，对非退化环形振荡器的周期个数进行计数，实现对退化反相器中的第一晶体管的沟道退化的监测。
11.根据权利要求10所述的器件沟道退化监测电路，其特征在于，所述频率衰减检测电路包括：分频器、计数器、判别器及锁存器；所述非退化环形振荡器产生非退化振荡信号输出至计数器，作为计数器的参考时钟；所述退化环形振荡器产生退化振荡信号输出至分频器进行分频，得到计数器的计数信号以及锁存器的锁存信号；所述计数器根据计数信号对参考时钟进行计数，输出计数结果至判别器；所述判别器判断计数结果是否大于阈值得到判别结果；所述锁存器根据锁存信号对判别结果进行锁存后输出监测及预警信号。
12.一种电源芯片，其特征在于，该电源芯片包括权利要求1-11中任一项所述的器件沟道退化监测电路。
13.一种隔离驱动芯片，其特征在于，该隔离驱动芯片包括权利要求1-11中任一项所述的器件沟道退化监测电路。
