1.一种MOS管有效沟道长度测试方法，其特征在于，应用于MOS管测试结构，所述MOS管测试结构包括多个MOS单元，每一个MOS单元包括衬底、源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极分别设置于所述衬底上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述衬底与所述栅极之间设置有隔离氧化层；其中，各个MOS单元共用一个衬底，各个MOS单元的栅极长度不同，相邻两个MOS单元共用源极或漏极；所述MOS管有效沟道长度测试方法包括：按照预置的电压施加方案，对所述MOS管测试结构中的MOS单元施加电压信号；所述预置的电压施加方案包括预置的第一电压施加方案和预置的第二电压施加方案；所述预置的第一电压施加方案为：对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加第一固定漏极电压，且对所述MOS管测试结构中的任一MOS单元施加不同的栅极电压；所述预置的第二电压施加方案为：对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加第二固定漏极电压，且对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加不同的栅极电压；获取所述MOS管测试结构中的MOS单元在所述电压信号下的参数信息；基于所述参数信息，得到有效沟道长度。
2.根据权利要求1所述的MOS管有效沟道长度测试方法，其特征在于，所述获取所述MOS管测试结构中的MOS单元在所述电压信号下的参数信息，包括：获取第一漏极电流，所述第一漏极电流为在所述预置的第一电压施加方案下，对应MOS单元在不同栅极电压下的漏极电流；获取第二漏极电流，所述第二漏极电流为在所述预置的第二电压施加方案下，各个MOS单元在不同栅极电压下的漏极电流。
3.根据权利要求2所述的MOS管有效沟道长度测试方法，其特征在于，所述基于所述参数信息，得到有效沟道长度，包括：基于所述第一漏极电流和所述第一固定漏极电压，得到总的电阻，所述总的电阻为沟道电阻、轻掺杂区电阻和源漏区电阻之和；基于所述第二漏极电流、第二固定漏极电压以及所述总的电阻，得到第一线性函数，所述第一线性函数为漏极电压与漏极电流之比随栅极长度变化的线性函数；基于所述第一线性函数的交点，确定得到沟道长度误差；基于理论沟道长度和所述沟道长度误差，得到有效沟道长度。
4.根据权利要求3所述的MOS管有效沟道长度测试方法，其特征在于，所述第一线性函数为：R sd 为源漏区电阻，R LDD 为轻掺杂区电阻，R channel 为沟道电阻，L poly 为栅极长度，ΔL为掩膜版沟道长度与有效沟道长度之差，W为沟道宽度，C OX 为栅极电容，μ n 为电子迁移率，V gs 为栅极电压，V t 为阈值电压，V ds 为第二固定漏极电压，I ds 为第二漏极电流。
5.根据权利要求3所述的MOS管有效沟道长度测试方法，其特征在于，还包括：基于所述沟道长度误差，得到源漏区电阻与轻掺杂区电阻之和；基于所述源漏区电阻与轻掺杂区电阻之和以及所述总的电阻，得到沟道电阻。
6.根据权利要求1所述的MOS管有效沟道长度测试方法，其特征在于，所述栅极的两端分别设置有栅极电极。
7.一种MOS管有效沟道长度测试装置，其特征在于，应用于MOS管测试结构，所述MOS管测试结构包括多个MOS单元，每一个MOS单元包括衬底、源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极分别设置于所述衬底上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述衬底与所述栅极之间设置有隔离氧化层；其中，各个MOS单元共用一个衬底，各个MOS单元的栅极长度不同，相邻两个MOS单元共用源极或漏极；所述MOS管有效沟道长度测试装置包括：信号施加模块，用于按照预置的电压施加方案，对所述MOS管测试结构中的MOS单元施加电压信号；所述预置的电压施加方案包括预置的第一电压施加方案和预置的第二电压施加方案；所述预置的第一电压施加方案为：对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加第一固定漏极电压，且对所述MOS管测试结构中的任一MOS单元施加不同的栅极电压；所述预置的第二电压施加方案为：对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加第二固定漏极电压，且对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加不同的栅极电压；参数获取模块，用于获取所述MOS管测试结构中的MOS单元在所述电压信号下的参数信息；测试模块，用于基于所述参数信息，得到有效沟道长度。
8.根据权利要求7所述的MOS管有效沟道长度测试装置，其特征在于，所述参数获取模块包括：第一获取单元，用于获取第一漏极电流，所述第一漏极电流为在所述预置的第一电压施加方案下，对应MOS单元在不同栅极电压下的漏极电流；第二获取单元，用于获取第二漏极电流，所述第二漏极电流为在所述预置的第二电压施加方案下，各个MOS单元在不同栅极电压下的漏极电流。
9.根据权利要求8所述的MOS管有效沟道长度测试装置，其特征在于，所述测试模块包括：第一计算单元，用于基于所述第一漏极电流和所述第一固定漏极电压，得到总的电阻，所述总的电阻为沟道电阻、轻掺杂区电阻和源漏区电阻之和；第二计算单元，用于基于所述第二漏极电流、第二固定漏极电压以及所述总的电阻，得到第一线性函数，所述第一线性函数为漏极电压与漏极电流之比随栅极长度变化的线性函数；第一确定单元，用于基于所述第一线性函数的交点，确定得到沟道长度误差；第三计算单元，用于基于理论沟道长度和所述沟道长度误差，得到有效沟道长度。
10.根据权利要求9所述的MOS管有效沟道长度测试装置，其特征在于，还包括：第二确定单元，用于基于所述沟道长度误差，得到源漏区电阻与轻掺杂区电阻之和；电阻计算模块，用于基于所述源漏区电阻与轻掺杂区电阻之和以及所述总的电阻，得到沟道电阻。
11.一种电子设备，其特征在于，该电子设备包括：至少一个处理器；存储器，与所述至少一个处理器连接；其中，所述存储器存储有能被所述至少一个处理器执行的指令，所述至少一个处理器通过执行所述存储器存储的指令实现权利要求1至6中任一项所述的MOS管有效沟道长度测试方法。
12.一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，其特征在于，该指令在被处理器执行时使得所述处理器被配置成执行根据权利要求1至6中任一项所述的MOS管有效沟道长度测试方法。
