薄膜结构转印方法

本公开涉及一种薄膜结构转印方法。方法包括：在临时衬底的承载有至少一个薄膜结构的第一面旋涂第一光刻胶，第一光刻胶覆盖各薄膜结构且暴露出临时衬底的至少一个锚固区域，临时衬底包括硅衬底层、处于硅衬底层与薄膜结构之间的二氧化硅层；去除临时衬底上处于各锚固区域范围内的二氧化硅层，而后去除第一光刻胶；在去除了部分二氧化硅层的临时衬底的第一面旋涂第二光刻胶，第二光刻胶覆盖在临时衬底第一面的各个区域；去除硅衬底层上剩余的二氧化硅层，而后去除第二光刻胶，得到处于硅衬底层上的至少一个薄膜结构；将处于硅衬底层上的各薄膜结构转印至目标弹性基底上。适用于薄膜结构的大规模、高成功率转印。