1.一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管，包括：基础层，包括在衬底上按自下而上的顺序依次形成的氮化物缓冲层以及氮化镓半绝缘层，所述氮化镓半绝缘层上表面形成包括至少一个平行延伸的沟槽的沟道区；多异质结层，覆盖包括沟槽在内的沟道区，包括在所述氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层，相邻的所述势垒层和所述沟道层之间形成异质结；氮化镓调控层，在所述多异质结层上从所述沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽，以调控所述场效应晶体管在开启与关闭状态下对应的沟道区内的电荷平衡；电流坍塌抑制结构，在所述多异质结层上形成于所述沟道区的另一侧，并与所述氮化镓调控层通过另一部分所述沟槽隔开；其中，所述电流坍塌抑制结构适用于在漏极电压较高时，对所述漏极提供空穴注入，实现所述漏极上的电荷平衡；源极和漏极，在所述氮化镓半绝缘层上分别与所述多异质结层的两侧接触，所述漏极与所述电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触；栅极，形成于所述源极与所述氮化镓调控层之间的所述多异质结层上；连接结构，穿过所述栅极的上方电连接所述源极与所述氮化镓调控层；其中，所述氮化镓调控层、和所述电流坍塌抑制结构均包括按自下向上堆叠的轻掺杂P型氮化镓层和重掺杂P型氮化镓层。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，在所述多异质结层中，每个所述势垒层的厚度介于1nm~50nm；所述沟道层厚度介于5nm~500nm。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，构成所述势垒层的材料是AlN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一种。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述轻掺杂P型氮化镓层的厚度介于3nm~150nm；所述重掺杂P型氮化镓层的厚度介于5nm~30nm。
5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，每个所述沟槽的横截面设置为倒梯形；每个所述沟槽的底部的刻蚀角设置为介于90度与180度之间。
6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，每个所述沟槽的深度为0.1μm~5μm；每个所述沟槽的刻蚀角为95°~175°。
7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，构成所述源极和所述漏极的材料为欧姆接触金属；构成所述栅极的材料为肖特基接触金属。
8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其特征在于，所述欧姆接触金属包括Ti、Al、Ni和Au中的至少一种；所述肖特基接触金属包括Pt、Ti、Al、Ni、TiN中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，还包括：栅介质，所述栅介质设置于所述栅极与所述多异质结层之间；以及所述源极、所述漏极、所述氮化镓调控层、所述电流坍塌抑制结构、和暴露的所述多异质结层上；其中，所述栅介质包括氧化铝、氮化铝、氧化硅及氮化硅中的一种。
10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，还包括：钝化介质层，形成于所述栅介质、和暴露的多异质结层上；所述钝化介质层的材料为氧化铝、氮化铝、氧化硅及氮化硅中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，在所述多异质结层形成与沟槽的形状配合的辅助沟槽。
12.一种如权利要求1~11中的任一项所述的折叠沟道氮化镓基场效应晶体管的制备方法，包括：按自下而上的顺序，在衬底上依次形成氮化物缓冲层以及氮化镓半绝缘层；在所述氮化镓半绝缘层的上表面采用刻蚀工艺形成包括至少一个沟槽的沟道区；在具有所述沟槽的表面上沉积包括势垒层和沟道层交替堆叠的交替材料层，在所述交替材料层上沉积氮化镓掺杂层；对所述氮化镓掺杂层执行刻蚀工艺，暴露部分交替材料层，得到所述氮化镓调控层和所述电流坍塌抑制结构，所述氮化镓调控层在所述沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽，所述电流坍塌抑制结构，形成于所述沟道区的另一侧，并与所述氮化镓调控层通过另一部分所述沟槽隔开；对暴露的交替材料层执行刻蚀工艺，以在所述交替材料层的两侧暴露部分氮化镓半绝缘层，得到所述多异质结层；在所述异质结的两侧、暴露的所述氮化镓半绝缘层上分别沉积源极和漏极；在暴露的所述多异质结层上采用刻蚀工艺得到栅极槽；在所述源极、所述漏极、所述氮化镓调控层、所述电流坍塌抑制结构、所述栅极槽和暴露的所述多异质结层上沉积栅介质；在所述栅极槽中的所述栅介质上沉积栅极金属；在暴露的氮化镓半绝缘层、栅极金属和栅介质上沉积钝化介质层，并在所述钝化介质层上与所述源极、栅极、氮化镓调控层、和漏极对齐的部位采用刻蚀工艺形成过孔；以及利用所述过孔中分别形成电连接所述源极与所述氮化镓调控层的连接结构、电连接所述栅极的栅极连接部、以及电连接所述漏极的漏极连接部。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述栅极槽的底部与所述氮化镓半绝缘层之间具有一层势垒层和一层沟道层，并且所述栅极槽的底部与从上至下的最后一层势垒层的上表面距离为0~20nm；或者所述栅极槽的底部位于自上而下的最后一层势垒层内，并且所述栅极槽的底部与从上至下的最后一层势垒层的下表面距离为0~5nm。
