戴心玥

戴心玥来自中国科学院微电子研究所，专利7件。擅长场效应晶体管、半导体势垒、半导体制造、、势垒电�。最擅长场效应晶体管。排名在TOP19。折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法是存续时间最长的专利。与范梦绮合作3次。