有效

基于忆阻器和CMOS晶体管的全加电路、高进位电路及加法器

韩名君、代广珍、赵振宇、宋兴文、吴道华、倪天明
安徽工程大学

摘要

本发明公开的基于忆阻器和CMOS晶体管的加法器,包括:m个全加电路,以及m个高进位电路;其中,第i个全加电路的非门1、非门2及非门3的输出端分别连接第i个高进位电路的两输入或非门1及两输入或非门2、两输入或非门1及两输入或非门3、两输入或非门2及两输入或非门3,第i个高进位电路的输出端CO与第i+1个全加器的非门3输入端连接,第i个全加器的非门3输入端连接第i‑1个高进位电路的输出端CO;将第i位的两个二进制数A、B从第i个全加电路的非门1、非门2的输入端输入,第1个全加电路的非门3输入端输入0。相比单纯CMOS晶体管加法器,减小了CMOS晶体管数量和芯片面积,提高了稳定性,提高了加法器运算速度,降低了功耗和集成电路面积。