有效

砷化镓芯片开封方法

赵东艳、王于波、陈鹏、陈燕宁、董广智、钟明琛、宋彦斌、单书珊、林国栋、李智诚
北京智芯微电子科技有限公司

摘要

本发明提供一种砷化镓芯片开封方法,属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤:S1:打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙;S2:将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域,加热砷化镓芯片使其处于目标温度,自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时,至反应第一预设时间止,清洗砷化镓芯片;S3:重复执行S2,直至肉眼可见砷化镓芯片表面;S4:将反应时间调整为第二预设时间,重复执行S2,直至所述目标开封区域不再发生反应,清洗砷化镓芯片后完成开封,得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污,能够限制反应区域,实现局部开封,利用封装体保护砷化镓衬底,阻止酸液与砷化镓反应。