1.一种功率型半导体器件封装结构，包括若干芯片组件，所述芯片组件包括第一端子和第二端子，半导体器件的C电极与第一端子连接，所述半导体器件的E电极与第二端子连接，其特征在于，还包括，柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，所述绝缘板的一面与第一端子连接，所述绝缘板的另一面设置若干用于承接柔性导电层的第一导电凸起，所述第一导电凸起连接所述绝缘板的另一面与所述柔性导电层，所述柔性导电层与E电极连接，所述柔性导电层用于分散作用于所述芯片组件上的压应力；所述芯片组件包括依次层叠设置的第一过渡层、芯片和第二过渡层，所述第二过渡层上设置第三导电凸起，所述第三导电凸起与柔性导电层接触。
2.根据权利要求1所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，所述E电极靠近所述柔性导电层的侧面上设置第二导电凸起，所述第二导电凸起与第一导电凸起相对应。
3.根据权利要求2所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，所述芯片组件还包括第三端子，所述第三端子通过G电极引线与半导体器件的G电极连接；还包括驱动电极，所述驱动电极通过G电极外连线与G电极连接。
4.根据权利要求3所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，所述C电极为C电极板，所述E电极为E电极板，所述驱动电极为PCB板；还包括具有相对设置的第一开口端和第二开口端的绝缘体，沿所述第一开口端和第二开口端的方向上，所述绝缘体内部依次设置所述双面覆导电层的绝缘板、芯片组件、柔性导电层、PCB板，所述C电极板适于封盖所述第一开口端，所述E电极板适于封盖所述第二开口端。
5.根据权利要求4所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，沿所述第一开口端和第二开口端的方向上，所述绝缘体的外侧面上间隔设置若干外延伞裙；所述绝缘体内部设置绝缘层，以填充位于所述柔性导电层与C电极板之间的所述绝缘体内部剩余空间。
6.根据权利要求4所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，还包括导热层，设置于所述绝缘体内部且位于所述柔性导电层与E电极板之间，以填充位于所述柔性导电层与E电极板之间的所述绝缘体内部剩余空间。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，所述C电极上设置用于放置芯片组件的定位凹槽，所述第一过渡层设置于所述定位凹槽内，所述第一过渡层和第二过渡层均为钼层。
8.根据权利要求7所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，所述柔性导电层上设置安装孔，用于将所述柔性导电层安装于所述第三导电凸起上；所述柔性导电层上设置连接孔，用于所述G电极外连线通过连接孔贯穿所述柔性导电层并连接至所述驱动电极上。
9.根据权利要求4-6中任一项所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，所述驱动电极上设置穿通孔，用于所述第二导电凸起通过所述穿通孔贯穿所述驱动电极；所述驱动电极上设置穿线孔，用于G电极外连线引出和焊接。
10.根据权利要求4或5所述的功率型半导体器件封装结构，其特征在于，所述驱动电极为具有若干铜层的PCB板；所述驱动电极上设置等电位孔，所述等电位孔用于铜层间的电位连接。
