一种半导体探测器

本实用新型提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。