失效

光敏芯片钝化结构

王鸥、邱月瓴、曾璞、刘小会、周红轮、胡卫英、刘从吉、罗成思
西南技术物理研究所

摘要

本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧化硅钝化膜同P型隔离区氧化硅断开,用聚酰亚胺胶膜包裹P型隔离区氧化硅钝化膜,各个方向包裹了氧化硅钝化膜,形成完整包裹型双层钝化膜。本实用新型包含了聚酰亚胺与氧化硅薄膜,芯片表面保留氧化硅钝化膜,并同P型隔离区氧化硅断开,让聚酰亚胺胶包裹隔离区氧化硅,形成完整包裹型钝化膜,有效减少了离子污染。消除了器件在背景光照下输出干扰信号,减少了不合格品的数量,提高了器件性能。

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