中子敏感镀膜及其形成方法

本发明涉及中子敏感镀膜及其形成方法。本发明的形成中子灵敏镀膜的方法主要包括：将第一敏感膜前驱体馈入反应腔中，使得第一敏感膜前驱体的分子被吸附在基材表面上，从而形成一层由该前驱体的分子构成的分子膜；在清除了反应腔中多余的前驱体后，将不同于第一敏感膜前驱体的另一敏感膜前驱体馈入反应腔中，以使所述另一敏感膜前驱体与基材表面上刚形成的分子膜发生化学反应；之后清除掉反应腔中多余的前驱体；如果还有其他需要馈入的敏感膜前驱体，则依次将其馈入进行反应，并清除多余的前驱体；重复上述馈入前驱体、清除多余前驱体的步骤，直到形成期望厚度的含有中子敏感核素的镀膜。