一种制备交叉结构有机分子器件的方法

本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一种制备交叉结构有机分子器件的方法，该方法包括：A、在基片表面上淀积电介质薄膜；B、在电介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，利用X射线光刻和显影在抗蚀剂上得到电极图形；C、淀积金属，剥离得到下电极金属图形；D、生长有机分子薄膜；E、淀积上电极金属材料；F、旋涂抗蚀剂，X射线光刻并显影，得到上电极图形；G、以抗蚀剂为掩蔽刻蚀，得到上电极；H、去胶，完成交叉有机分子器件的制备。利用本发明，有效地改善了交叉结构有机分子器件的制备。