刘明

中国科学院微电子研究所

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刘明,中国科学院院士,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师,中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室主任,中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长,国家重大基础研究计划项目首席科学家,国家自然基金委创新群体负责人,IEEE Fellow。长期从事半导体存储器和集成电路的微纳加工等方面的研究。

新兴存储器 H01L45/00 半导体制造 H01L29/00 生物模型计算 电磁存储器 H01L27/00 输入输出 数字存储器读写 非CRT显控 H01L43/00 移位存储 电磁器件 固态薄膜厚膜器件 铁电电容存储器

  1. 01
    物理仪器top 1%
    领域专利数量 203专家排名#1
  2. 02
    电学top 1%
    领域专利数量 166专家排名#2
  3. 03
    电气元件top 1%
    领域专利数量 150专家排名#3
  4. 04
    半导体器件技术top 1%
    领域专利数量 149专家排名#4
  5. 05
    信息存储top 1%
    领域专利数量 88专家排名#5

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企业名称行业状态注册日期
合肥中科微电子创新中心有限公司专业技术服务业存续2021-11-02
四川省豆萁科技股份有限公司软件和信息技术服务业存续2015-02-15
北京明启芯途科技发展合伙企业(有限合伙)科技推广和应用服务业存续2024-07-03

与 北京明启芯途科技发展合伙企业(有限合伙) 的合作详情

共 86 项合作记录

电阻转变型存储器及其驱动装置和方法

20260429

CN200810240273.8

驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法

20260429

CN200910077526.9

一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路

20260429

CN200910077527.3

一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件

20260429

CN200910083500.5

一种降低存储器读干扰的电路及方法

20260429

CN201010162241.8

一种对电阻存储器进行编程的电路

20260429

CN201010573813.1

一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法

20260429

CN201010574384.X

一种阻变存储器单元的编程和擦除方法及装置

20260429

CN201110021108.5

一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置

20260429

CN201110021108.5

提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法

20260429

CN201110023200.5

阻变型随机存储单元及存储器

20260429

CN201110029781.3

复合存储单元和存储器

20260429

CN201110046327.9

复合存储器

20260429

CN201110046327.9

集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法

20260429

CN201110066086.4

集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法

20260429

CN201110066088.3

阻变存储器及其制造方法

20260429

CN201110075379.9

一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法

20260429

CN201110090834.2

一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法

20260429

CN201110090926.0

阻变存储器单元

20260429

CN201110101033.1

非挥发性半导体存储器及其存储操作方法

20260429

CN201110104744.4

一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法

20260429

CN201110131693.4

一种半导体存储器件

20260429

CN201110137561.2

混合存储器件及其控制方法、制备方法

20260429

CN201110409493.0

阻变存储器的制造方法

20260429

CN201210058676.7

具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法

20260429

CN201210284760.0

一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法

20260429

CN201210311109.8

一种电阻型存储器的制备方法

20260429

CN201210311116.8

一种对阻变存储器阵列进行测试的系统

20260429

CN201310218444.8

一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路

20260429

CN201310491719.5

一种制备纳米器件的方法

20260429

CN201310491769.3

基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法

20260429

CN201410102569.9

一种测量阻变存储器激活能的方法

20260429

CN201410144275.2

对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法

20260429

CN201410377423.5

一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法

20260429

CN201410541573.5

一种小间隙平面电极的制作方法

20260429

CN201410557759.X

一种有效提高阻变存储器耐久性的方法

20260429

CN201410643264.9

三端原子开关器件及其制备方法

20260429

CN201410828155.4

非挥发性阻变存储器件及其制备方法

20260429

CN201510061920.9

用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法

20260429

CN201610158468.2

一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器

20260429

CN201610258335.2

一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器

20260429

CN201610258342.2

一种自选通阻变存储器件及其制备方法

20260429

CN201610282626.5

导电桥半导体器件及其制备方法

20260429

CN201710115553.5

一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法

20260429

CN201710167921.0

一种阻变存储器及其制作方法

20260429

CN201710363354.6

一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法

20260429

CN201710376114.X

阻变存储器及其制备方法

20260429

CN201710387583.1

一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器

20260429

CN201710552498.6

基于阻变器件交叉阵列结构实现逻辑计算的方法

20260429

CN201810062154.1

自整流阻变存储器及其制备方法

20260429

CN201810268052.5

1S1R存储器集成结构及其制备方法

20260429

CN201810455161.8

一种阻变存储器的设计方法及装置

20260429

CN201810508704.8

存储器件的读取方法

20260429

CN201810721290.7

非易失性存储方法及装置

20260429

CN201810727728.2

一种神经元电路以及神经网络电路

20260429

CN201810891822.1

一种阻变存储器的制备方法

20260429

CN201811239346.1

一种阻变存储器

20260429

CN201811239365.4

融合型存储器的写入、擦除方法

20260429

CN201910083189.8

神经网络运算系统

20260429

CN201910083228.4

融合型存储器

20260429

CN201910083230.1

阻变存储器

20260429

CN201910166374.3

阻变存储器的制备方法

20260429

CN201910166430.3

存储器及数据处理方法

20260429

CN201910610887.9

一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法

20260429

CN201910806653.1

人工感受神经电路及其制备方法

20260429

CN201910917005.3

基于1T1R结构的忆阻器及其制备方法、集成结构

20260429

CN201911147614.1

实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列

20260429

CN201911279800.0

一种基于RRAM的非易失性锁存器及集成电路

20260429

CN202010033808.5

存储单元结构及存储器阵列结构、电压偏置方法

20260429

CN202010288743.9

一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备

20260429

CN202010316955.3

存储器系统、控制方法和控制装置

20260429

CN202010342940.4

灵敏放大器以及存储器

20260429

CN202010345389.9

存储器及其限流保护电路

20260429

CN202010345423.2

存储器测试电路、测试系统及测试方法

20260429

CN202010349085.X

一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备

20260429

CN202010395322.6

一种字线译码电路、字线选通方法及存储器和电子设备

20260429

CN202010432492.7

一种灵敏放大器、存储器读取方法及存储器和电子设备

20260429

CN202010493302.2

一种选通管及其制备方法

20260429

CN202010714397.6

用于选通管疲劳特性测试的装置及方法

20260429

CN202010860291.7

互补型存储单元及其制备方法、互补型存储器

20260429

CN202010860293.6

对称型存储单元及BNN电路

20260429

CN202010860294.0

基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器

20260429

CN202010957666.1

一种阻变存储器单元电路、阻变存储器及写操作方法

20260429

CN202110251742.1

忆阻器、汉明距离计算方法及存算一体集成应用

20260429

CN202110457874.X

一种灵敏放大器

20260429

CN202110499651.X

一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法

20260429

CN202110826828.2

一种脉冲神经网络结构

20260429

CN202111470318.2

电子设备、非易失存储器、存储单元及控制方法

20260429

CN202211430293.8