刘明

中国科学院微电子研究所研究员

中国科学院微-电子研究所半导体存储器集成电路的微纳加工

最多合作企业北京明启芯途科技发展合伙企业（有限合伙）最多合作专家谢常青

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刘明,中国科学院微电子研究所研究员;博士生导师;微电子器件与集成技术重点实验室主任;中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长。

主要研究领域:半导体存储器;集成电路的微纳加工。

研究成果:
发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件。

工作经历

2000年，刘明被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任；2008年，刘明获得国家杰出青年科学基金资助；2015年7月31日，刘明入选中国科学院院士增选初步候选人名单12月7日当选中国科学院院士；2018年1月25日，刘明出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，同年当选发展中国家科学院院士；2022年8月11日晚间，中芯国际在港交所公告，委任独立非执行董事刘明院士担任董事会审计委员会成员，自2022年8月11日起生效

教育背景

1985年，刘明从合肥工业大学本科毕业，获得学士学位；1988年，刘明从合肥工业大学硕士研究生毕业，获得硕士学位；1998年，刘明从北京航空航天大学博士研究生毕业，获得博士学位

历年科研重点

H01L29 半导体制造 H01L27 H01L45 新兴存储器电磁存储器非CRT显控生物模型计算 H01L43 含存储器组装 H01L49 真空镀覆电磁器件铁电电容存储器磁阻存储器固态薄膜厚膜器件制造处理有机器件有机有源集成半导体器件细节动态随机存储器半导体势垒

技术领域排名

专利列表

显示 1-5 条，共 742 条

疑似任职企业

企业名称	行业	状态	注册日期
合肥中科微电子创新中心有限公司	专业技术服务业	存续	2021-11-02
四川省豆萁科技股份有限公司	软件和信息技术服务业	存续	2015-02-15
北京明启芯途科技发展合伙企业（有限合伙）	科技推广和应用服务业	存续	2024-07-03
青岛龙发热电有限公司	电力、热力生产和供应业	存续	1991-09-12
天津市津北沙河农作物种植专业合作社	农业	存续	2018-01-29
四川省浩峰机械租赁有限公司	租赁业	存续	2020-06-01
铜陵市中茵环境绿化工程有限责任公司	公共设施管理业	存续	2010-05-19
廊坊市常来顺餐饮有限公司	餐饮业	存续	2019-06-14
诸城市龙都街道汉车经济专业合作社	商务服务业	存续	2014-05-22
昌乐首阳山旅游度假区刘双泉社区经济股份合作社	农业	存续	2014-08-27

产研合作关联

与北京明启芯途科技发展合伙企业（有限合伙）的合作详情

共 86 项合作记录

电阻转变型存储器及其驱动装置和方法

CN200810240273.8

驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法

CN200910077526.9

一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路

CN200910077527.3

一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件

CN200910083500.5

一种降低存储器读干扰的电路及方法

CN201010162241.8

一种对电阻存储器进行编程的电路

CN201010573813.1

一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法

20260429

CN201010574384.X

一种阻变存储器单元的编程和擦除方法及装置

CN201110021108.5

一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置

CN201110021108.5

提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法

CN201110023200.5

阻变型随机存储单元及存储器

CN201110029781.3

复合存储单元和存储器

CN201110046327.9

复合存储器

CN201110046327.9

集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法

CN201110066086.4

集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法

CN201110066088.3

阻变存储器及其制造方法

CN201110075379.9

一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法

CN201110090834.2

一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法

CN201110090926.0

阻变存储器单元

CN201110101033.1

非挥发性半导体存储器及其存储操作方法

CN201110104744.4

一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法

CN201110131693.4

一种半导体存储器件

CN201110137561.2

混合存储器件及其控制方法、制备方法

CN201110409493.0

阻变存储器的制造方法

CN201210058676.7

具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法

CN201210284760.0

一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法

CN201210311109.8

一种电阻型存储器的制备方法

CN201210311116.8

一种对阻变存储器阵列进行测试的系统

CN201310218444.8

一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路

CN201310491719.5

一种制备纳米器件的方法

CN201310491769.3

基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法

CN201410102569.9

一种测量阻变存储器激活能的方法

CN201410144275.2

对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法

CN201410377423.5

一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法

CN201410541573.5

一种小间隙平面电极的制作方法

20260429

CN201410557759.X

一种有效提高阻变存储器耐久性的方法

CN201410643264.9

三端原子开关器件及其制备方法

CN201410828155.4

非挥发性阻变存储器件及其制备方法

CN201510061920.9

用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法

CN201610158468.2

一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器

CN201610258335.2

一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器

CN201610258342.2

一种自选通阻变存储器件及其制备方法

CN201610282626.5

导电桥半导体器件及其制备方法

CN201710115553.5

一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法

CN201710167921.0

一种阻变存储器及其制作方法

CN201710363354.6

一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法

20260429

CN201710376114.X

阻变存储器及其制备方法

CN201710387583.1

一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器

CN201710552498.6

基于阻变器件交叉阵列结构实现逻辑计算的方法

CN201810062154.1

自整流阻变存储器及其制备方法

CN201810268052.5

1S1R存储器集成结构及其制备方法

CN201810455161.8

一种阻变存储器的设计方法及装置

CN201810508704.8

存储器件的读取方法

CN201810721290.7

非易失性存储方法及装置

CN201810727728.2

一种神经元电路以及神经网络电路

CN201810891822.1

一种阻变存储器的制备方法

CN201811239346.1

一种阻变存储器

CN201811239365.4

融合型存储器的写入、擦除方法

CN201910083189.8

神经网络运算系统

CN201910083228.4

融合型存储器

CN201910083230.1

阻变存储器

CN201910166374.3

阻变存储器的制备方法

CN201910166430.3

存储器及数据处理方法

CN201910610887.9

一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法

CN201910806653.1

人工感受神经电路及其制备方法

CN201910917005.3

基于1T1R结构的忆阻器及其制备方法、集成结构

CN201911147614.1

实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列

CN201911279800.0

一种基于RRAM的非易失性锁存器及集成电路

CN202010033808.5

存储单元结构及存储器阵列结构、电压偏置方法

CN202010288743.9

一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备

CN202010316955.3

存储器系统、控制方法和控制装置

CN202010342940.4

灵敏放大器以及存储器

CN202010345389.9

存储器及其限流保护电路

CN202010345423.2

存储器测试电路、测试系统及测试方法

20260429

CN202010349085.X

一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备

CN202010395322.6

一种字线译码电路、字线选通方法及存储器和电子设备

CN202010432492.7

一种灵敏放大器、存储器读取方法及存储器和电子设备

CN202010493302.2

一种选通管及其制备方法

CN202010714397.6

用于选通管疲劳特性测试的装置及方法

CN202010860291.7

互补型存储单元及其制备方法、互补型存储器

CN202010860293.6

对称型存储单元及BNN电路

CN202010860294.0

基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器

CN202010957666.1

一种阻变存储器单元电路、阻变存储器及写操作方法

CN202110251742.1

忆阻器、汉明距离计算方法及存算一体集成应用

20260429

CN202110457874.X

一种灵敏放大器

20260429

CN202110499651.X

一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法

CN202110826828.2

一种脉冲神经网络结构

CN202111470318.2

电子设备、非易失存储器、存储单元及控制方法

CN202211430293.8

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