李宛励

李宛励来自西南技术物理研究所，专利5件。擅长无机半导体器件、器件制造处理、制造处理有机器件、真空镀覆。最擅长无机半导体器件，铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法是存续时间最长的专利。与代千合作5次。