刘绍斌

刘绍斌来自西南技术物理研究所，专利2件。擅长器件制造处理、无机半导体器件。最擅长器件制造处理，铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法是存续时间最长的专利。与代千合作2次。