刘丽
电子科技大学
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刘丽来自电子科技大学，专利7件。擅长半导体制造。最擅长半导体制造，一种集成SBD的增强型HEMT是存续时间最长的专利。与张波合作5次。
历年科研重点
H01L51
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种掺杂三维钙钛矿的准二维钙钛矿太阳能电池及其制备方法
申请日: 20210326 公开日: 20220520 申请人: 电子科技大学
- 失效
一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
申请日: 20210524 公开日: 20210730 申请人: 电子科技大学
- 有效
立体多槽栅增强型HEMT器件及其制备方法
申请日: 20151228 公开日: 20190129 申请人: 电子科技大学
- 有效
一种集成SBD的增强型HEMT
申请日: 20150803 公开日: 20180814 申请人: 电子科技大学
- 失效
一种调制Ⅲ族氮化物半导体增强型器件阈值电压的方法
申请日: 20151230 公开日: 20160323 申请人: 电子科技大学
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