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专利列表
- 在审
氮化物半导体材料及其退火方法
申请日: 20251229 公开日: 20260324 申请人: 广东省科学院半导体研究所
- 在审
n型掺杂氮化物半导体材料及其制备方法
申请日: 20251225 公开日: 20260317 申请人: 广东省科学院半导体研究所
- 在审
铝氮类HEMT器件及其制备方法
申请日: 20251230 公开日: 20260206 申请人: 广东省科学院半导体研究所
- 有效
一种单一N极性AlN薄膜制备方法
申请日: 20221111 公开日: 20241210 申请人: 广东省科学院半导体研究所
- 有效
一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法
申请日: 20191202 公开日: 20240517 申请人: 广东省半导体产业技术研究院
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