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专利列表
- 有效
一种具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管及其制备方法和应用
申请日: 20250425 公开日: 20260331 申请人: 南方科技大学
- 在审
高取向金刚石晶圆的制备方法及高取向金刚石晶圆
申请日: 20251224 公开日: 20260320 申请人: 深圳职业技术大学
- 有效
一种增强型晶体管及其制造方法
申请日: 20220601 公开日: 20260303 申请人: 南方科技大学
- 在审
一种巢式全自动免疫荧光分析仪
申请日: 20251230 公开日: 20260217 申请人: 深圳职业技术大学
- 有效
静电放电ESD保护电路
申请日: 20220414 公开日: 20260206 申请人: 南方科技大学
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科研动态
南方科技大学开发出高性能氮化镓晶体管器件
来源: IEEE Electron Device Letters; Applied Physics Letters; IEEE Transactions on Electron Devices合作: 何佳琦、李刚、周广楠、夏光睿、蒋洋、汪青、王中锐、唐楚滢、蒋玉龙
南方科技大学在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展
来源: IEEE Transactions on Electron Devices; Sensors and Actuators: B Chemical合作: 李携曦、何明浩、Robert Sokolovskij、尹嘉豪、金浩天、陈亮
南方科技大学在宽禁带半导体功率和传感器件领域取得重要进展
来源: IEEE Electron Device Letters; IEEE Transactions on Electron Devices合作: 李携曦、何佳琦、周广楠、尹嘉豪、安小帅、罗雨萌
南方科技大学提出氮化镓基光电集成新器件
来源: IEEE Electron Device Letters; Applied Optics; Optics Letters; Journal of Lightwave Technology合作: 李携曦、罗雨萌、喻彬璐、尹嘉豪、金浩天、李静、邬剑安、汪青、吴懿平、朱玲
南方科技大学在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展
来源: IEEE Electron Device Letters;IEEE Transactions on Electron Devices;IOP Semiconductor Science and Technology合作: 范梦雅、周广楠、郑韦志
