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专利列表
- 在审
一种过渡金属硫化合物单晶晶圆生长的方法
申请日: 20230316 公开日: 20240405 申请人: 北京大学
- 有效
一种高定向过渡金属硫属化合物纳米带生长的方法
申请日: 20210720 公开日: 20220927 申请人: 北京大学
- 有效
一种光截止性滤光片及其制备方法和应用
申请日: 20200302 公开日: 20220628 申请人: 北京大学
- 有效
一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法
申请日: 20200114 公开日: 20210108 申请人: 北京大学
- 有效
一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法
申请日: 20170615 公开日: 20200616 申请人: 北京大学
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科研动态
北京大学通过界面工程集成晶圆级MoS2显著提升钙钛矿太阳能电池效率和稳定性
来源: Science合作: 周欢萍、张艳锋、宰华超、苏杰、尹瑞阳、黄朝晖、常晶晶、陈棋
北京大学通过集成晶圆级单层MoS2显著增强钙钛矿太阳能电池效率和稳定性
来源: 《科学》（Science）合作: 周欢萍、张艳锋、宰华超、苏杰、尹瑞阳
北京大学发展了晶圆级单层MoS2单晶薄膜的控制制备新方法
来源: Nature Communications合作: 张艳锋、邹小龙、王大帅、赵晓续
北京大学发展了晶圆级单层MoS2单晶薄膜的外延制备新方法
来源: Nature Communications合作: 张艳锋、邹小龙、王大帅、赵晓续
北京大学提出利用普通玻璃基底制备晶圆尺寸均匀大畴区单层MoS2的新方法
来源: Nature Communications合作: 张艳锋、陈清、张青、高鹏、刘忠范、邹小龙
