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专利列表
科研动态
北京大学制备出首个截止频率超过1THz的碳纳米管MOSFET
来源: Nature Electronics合作: 彭练矛、张志勇
北京大学首次实现工作于太赫兹频段的碳纳米管射频晶体管和高性能放大器
来源: Nature Electronics合作: 张志勇、彭练矛、石惠文、仲东来、韩杰
北京大学在单根碳纳米管上制备出高性能CMOS器件及基本逻辑门电路
来源: Nature communications; Nano Letters; ACS Nano; Advanced Materials; Advanced Functional Materials合作: 张志勇、李彦、刘杰
研究团队在单根碳纳米管上制备出高性能CMOS器件并构建逻辑电路，实现低功耗优势
来源: Nature communications; Nano Letters; ACS Nano; Advanced Materials; Advanced Functional Materials合作: 彭练矛、李彦、刘杰、张志勇
