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专利列表
- 有效
一种窄带隙半导体晶体管及其制备方法
申请日: 20200603 公开日: 20250812 申请人: 北京元芯碳基集成电路研究院
- 有效
一种用于SoC的无掺杂半导体器件及其制作方法
申请日: 20200216 公开日: 20250725 申请人: 北京元芯碳基集成电路研究院
- 失效
一种半导体晶体管及其制备方法
申请日: 20200512 公开日: 20211116 申请人: 北京元芯碳基集成电路研究院
- 有效
一种碳纳米管三维鳍状晶体管及其制备方法
申请日: 20190808 公开日: 20210212 申请人: 北京大学
- 有效
异质结碳纳米管场效应晶体管及其制备方法
申请日: 20160906 公开日: 20201009 申请人: 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
科研动态
北京大学研制出0.6V超低电压工作的纳米栅铁电晶体管
来源: Science Advances合作: 邱晨光、彭练矛、孟德欢、马学周、沈子卓
北京大学发明原子级精准选区掺杂技术实现二维半导体欧姆接触
来源: Nature Electronics合作: 彭练矛、邱晨光、姜建峰、张广宇、杜罗军
北京大学发明原子级精准选区掺杂技术，实现二维半导体晶圆级超短沟道弹道晶体管制备
来源: Nature Electronics合作: 彭练矛、邱晨光、姜建峰、张广宇、杜罗军
北京大学制备出栅间距175nm的碳纳米管晶体管和面积小于1μm²的SRAM单元
来源: Nature Electronics合作: 林艳霞、曹宇、彭练矛、张志勇、金传洪
北京大学首次制备出栅间距175nm的碳纳米管晶体管和面积小于1µm²的SRAM单元，并探索了亚10nm节点的可行性。
来源: Nature Electronics合作: 林艳霞、曹宇、彭练矛、张志勇、金传洪
