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专利列表
- 有效
一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法
申请日: 20211207 公开日: 20251017 申请人: 山西大学
- 有效
一种基于CNT阵列沟道的栅极环绕型晶体管及制备方法
申请日: 20211207 公开日: 20241018 申请人: 山西大学
- 有效
一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法
申请日: 20200708 公开日: 20221111 申请人: 山西大学
- 在审
一种基于二维材料的3D NAND存储器及其制备方法
申请日: 20211207 公开日: 20220318 申请人: 山西大学
- 失效
一种基于过渡金属硫化物的栅极环绕型晶体管及制备方法
申请日: 20211207 公开日: 20220318 申请人: 山西大学
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科研动态
中国科学院金属研究所首次演示可阵列化垂直单原子层沟道鳍式场效应晶体管
来源: Nature Communications合作: 韩拯、孙东明、刘松、董宝娟、孙兴丹、刘航、邱松、杜海峰
中国科学院金属研究所首次演示可阵列化垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管
来源: Nature Communications合作: 韩拯、孙东明、刘松、董宝娟、孙兴丹、刘航、邱松、杜海峰
中国科学院金属研究所制备出柔性碳纳米管传感存储一体化器件
来源: Advanced Materials合作: 孙东明、曲庭玉、邱松、李清文、王伟、孙陨、韩拯、成会明、刘志博、谭军
中国科学院制备出柔性碳纳米管传感存储一体化器件
来源: Advanced Materials合作: 孙东明、曲庭玉、邱松、李清文、王伟、孙陨、韩拯、成会明、刘志博、谭军
中国科学院金属研究所首次制备出硅-石墨烯-锗高速晶体管
来源: Nature Communications合作: 刘驰、孙东明、任文才、马伟
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