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专利列表
- 在审
一种制备空隙率可调的SiO多壳层空心微球粉体的方法和系统
申请日: 20240118 公开日: 20250701 申请人: 中国科学院过程工程研究所
- 有效
一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的方法
申请日: 20210604 公开日: 20240531 申请人: 中国科学院过程工程研究所
- 有效
一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法
申请日: 20210604 公开日: 20240326 申请人: 中国科学院过程工程研究所
- 有效
一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法
申请日: 20210604 公开日: 20240322 申请人: 中国科学院过程工程研究所
- 有效
一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的方法
申请日: 20210604 公开日: 20240308 申请人: 中国科学院过程工程研究所
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