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专利列表
- 在审
半导体器件及其制备方法
申请日: 20240808 公开日: 20260210 申请人: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
- 在审
纵向沟槽型MOSFET器件、制备方法及应用
申请日: 20251110 公开日: 20260120 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 在审
电导调制增强的III族氮化物电子器件及其制备方法
申请日: 20250411 公开日: 20250711 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 在审
室温快速提取GaN HEMT器件中陷阱参数的方法
申请日: 20250401 公开日: 20250704 申请人: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
- 在审
硅基介质层的自终止刻蚀方法及其应用
申请日: 20250220 公开日: 20250527 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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科研动态
中国科学院苏州纳米所研制出垂直GaN功率二极管台面终端技术
来源: 第38届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD）合作: 葛鑫晨、钟耀宗、孙钱
中国科学院研制出1200V硅衬底GaN基纵向功率二极管
来源: IEEE Electron Device Letters;Applied Physics Letters;IEEE Transactions on Electron Devices合作: 孙钱、钟耀宗
中国科学院苏州纳米所研制出高性能硅衬底GaN基纵向功率二极管
来源: IEEE Electron Device Letters;Applied Physics Letters;IEEE Transactions on Electron Devices合作: 钟耀宗、何俊蕾、孙钱、周宇
