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  • 电导调制增强的III族氮化物电子器件及其制备方法

    申请日: 20250411 公开日: 20250711 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

    在审
  • 提高功率电子器件关态电学特性的终端结构及其制备方法

    申请日: 20240430 公开日: 20240809 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

    在审
  • 肖特基结的特性调控方法、结构及其应用

    申请日: 20231218 公开日: 20240319 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

    在审

科研动态

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  • 中国科学院苏州纳米所研制出垂直GaN功率二极管台面终端技术

    来源: 第38届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD)合作: 郭小路、钟耀宗、孙钱

    2026-07-17
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