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专利列表
- 有效
低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用
申请日: 20250408 公开日: 20250701 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 失效
GaN功率器件及其制备方法
申请日: 20250507 公开日: 20250606 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 在审
用于电化学剥离制备纳米薄膜器件的外延结构及剥离方法
申请日: 20241010 公开日: 20241227 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 在审
提高HEMT器件二维电子气浓度的结构及方法
申请日: 20240909 公开日: 20241217 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 在审
基于恒温电解液振荡的电化学剥离GaN衬底的方法
申请日: 20210330 公开日: 20221004 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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