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专利列表
- 在审
纵向沟槽型MOSFET器件、制备方法及应用
申请日: 20251110 公开日: 20260120 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 在审
提高micro-LED发光效率的结构、方法及其应用
申请日: 20231127 公开日: 20250603 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 有效
紫外光电子器件的外延结构及光电子器件
申请日: 20240116 公开日: 20250506 申请人: 苏州立琻半导体有限公司
- 在审
紫外光电子器件的外延结构及其应用
申请日: 20240116 公开日: 20241115 申请人: 苏州立琻半导体有限公司
- 在审
III族氮化物半导体激光器结构及其制作方法
申请日: 20230406 公开日: 20241015 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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